檢索結果：共26筆資料 檢索策略： "GaN".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="葉秉慧"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
由於氮化鎵藍紫光垂直共振腔面射型雷射之晶圓片製作不易，容易造成低增益及高損耗的現象，因此本實驗採用不同於常見的氧化物侷限結構，利用矽擴散反轉p-GaN為n-GaN製作出擴散型侷限結構，藉此定義出電流…
2
本論文利用三族氮化物中，具有紫外光至藍光吸收波段之氮化鎵材料研製光偵測器，可應用為紫外光或藍光感測器，並以GaN/InGaN多重量子井主動層結構製作PIN(p-intrinsic-n-type)光偵…
3
本論文主要研究氮化鎵光偵測器與LED警示燈模組，在功能上做應用端的延伸以及元件改良，使研發模組具有更好的元件性能以及多樣的應用端功能，來實現未來商業化的可能性。 在模組元件氮化鎵光偵測器與L…
4
InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV （GaN）調變至0.7eV （InN），其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜，所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
5
氮化鎵材料系統被廣泛的應用於高功率發光二極體。其中很重要的一部分在於透明導電層的製作。ITO (Indium-tin-oxide)是廣泛被使用的材料之一，應用於氮化鎵系統的材料之中，卻出現了嚴重的問…
6
本論文研究積體化氮化鎵光電晶體光偵測器與七段顯示器的元件製作、模組電路設計與特性量測。光電晶體可以放大光電流，氮化鎵光電晶體適合偵測環境的紫外線照度，與七段顯示器積體化可顯示紫外線危險級數或顯示…
7
本論文研發氮化鎵表面結構化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太 陽能電池光電流。本實驗所使用的商用氮化鎵晶圓原是為做LED元件 設計，主動層較薄。過薄的主動層將使得太陽能電池光吸收率不佳， 因此希望透過散射…
8
本論文我們製作了近紫外光p-i-n偵測器與異質接面光電晶體(Heterojunction phototransistors, HPTs)。兩種光偵測器都是設計了兩種形狀，有方型與長型。異質接面光電晶…
9
本論文使用商用氮化鎵LED晶圓，利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一…
10
改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈，來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一，在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…